سامسونگ و IBM با طراحی جدید چیپ، شارژدهی گوشیها را به یک هفته میرسانند
شرکتهای سامسونگ و IBM از جدیدترین دستاوردشان در طراحی نیمهرسانا رونمایی کردند: راهی جدید برای قرارگیری عمودی ترانزیستورها روی چیپ بجای قرارگیری تخت روی سطح نیمهرسانا. طراحی جدید سامسونگ و IBM چه مزایایی به همراه دارد؟
 این طراحی جدید که Vertical Transport Field Effect Transistors یا به اختصار VTFET نام دارد، جایگزین فناوری FinFET کنونی میشود که در مدرنترین و پیشرفتهترین تراشههای امروزی مورد استفاده قرار میگیرد و باعث قرارگیری فشردهتر و بیشتر ترانزیستورها روی چیپها میشود. در این طراحی جدید، ترانزیستورها به صورت عمودی روی تراشه قرار میگیرند. این سبک طراحی اجازه میدهد جریان در پشته ترانزیستورها بجای حرکت به صورت افقی، به سمت بالا و پایین حرکت کند.
 مدتهاست طراحی عمودی به موضوعی داغ در دنیای نیمه رساناها تبدیل شده و برای مثال اینتل هم در نقشه راه آیندهاش به چنین سمتی حرکتی میکند. چنین رویکردی منطقی به نظر میرسد چرا که اگر بخواهید روی یک صفحه چندین چیپ قرار دهید، قرارگیری عمودی بجای افقی کاربردیتر است.
 مزایای طراحی جدید چیپ سامسونگ در حالی که هنوز فاصله طولانی تا استفاد..